5/2/2010
Agência FAPESP – O futuro está chegando. Pelo menos para o grafeno, que está cada vez mais próximo dos computadores, nos quais poderá ocupar o lugar do hoje onipresente – mas cada vez mais próximo do limite tecnológico – silício.
Desde que essa nova forma de carbono foi isolada, em 2004, pelo grupo de Andre Geim, na Universidade de Manchester, diversos centros de pesquisa espalhados pelo mundo têm estudado as propriedades e aplicações dessa nova forma de carbono.
Em artigo na Science, pesquisadores descrevem a produção de transistores de grafeno, considerado o material do futuro, que atingem a frequência de 100 gigahertz (divulgação)
Em artigo publicado na edição desta sexta-feira (5/2) da revista Science, um grupo do Centro de Pesquisa Watson da IBM, nos Estados Unidos, descreve a produção de transistores de efeito de campo formados por uma camada de grafeno sobre uma “bolacha” de silício.
O mais notável, segundo o estudo, é que o dispositivo atingiu a frequência de 100 gigahertz por uma distância de 240 nanômetros. A performance de alta frequência desse transistor de grafeno em tal distância supera os melhores de silício até hoje construídos.
Transistores feitos de grafeno podem alternar sinais eletrônicos mais rapidamente do que os de silício, apontam os pesquisadores. Tais transistores poderão se mostrar, no futuro, muito úteis em aplicações que exigem grande frequência e velocidade.
O grafeno é o mais fino e também considerado o mais forte de todos os materiais. Por características insólitas (reduzida espessura, por exemplo) e propriedades notáveis (condução de eletricidade), ele tem sido cotado, entre outras coisas, como possível sucessor do silício na fabricação de chips de computador ou como o material de base para a nova geração de dispositivos eletrônicos.
Por formar folhas resistentes e capazes de serem dobradas sem danos – por conta do arranjo de átomos de carbono em uma estrutura que lembra o de uma colmeia –, uma das principais aplicações potenciais do grafeno está na fabricação de aparelhos eletrônicos flexíveis.
O artigo 100-GHz Transistors from Wafer-Scale Epitaxial Graphene (10.1126/science.1184289), de Yu-Ming Lin e outros, pode ser lido por assinantes da Science em www.sciencemag.org.
+++++
Professores, pesquisadores e alunos de universidades públicas e privadas com acesso ao site CAPES/Periódicos podem ler gratuitamente este artigo da Science e de mais 15.000 publicações científicas.
